Pesquisadores em Taiwan anunciaram uma nova memória magnética que usa tungstênio e promete combinar velocidade e retenção de dados. O trabalho foi conduzido pela National Yang Ming Chiao Tung University, em parceria com a Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) e o Industrial Technology Research Institute, e descreve uma implementação de SOT-MRAM baseada no forte acoplamento spin-órbita do tungstênio.
O que foi demonstrado
Os autores mostram que, ao estabilizar uma fase específica do tungstênio — a β-fase — é possível aumentar a eficiência de geração de torque de spin e obter estabilidade térmica até 700 °C. No dispositivo testado, uma corrente na camada de tungstênio reverteu a magnetização de uma camada ferromagnética em cerca de 1 ns, sem necessidade de campos magnéticos externos ou de ciclos contínuos de atualização.
O protótipo de 64 kilobits apresentou retenção de dados superior a dez anos. Em termos práticos, a equipe ressalta uma combinação de velocidade próxima à da DRAM com a não volatilidade típica da memória Flash, acompanhada de consumo energético reduzido — características apontadas para memórias embarcadas e caches em aplicações de computação de borda e inteligência artificial.
O que isso significa na prática? Imagine um cache que não perde dados quando um dispositivo é desligado ou que mantém informações por anos sem refresco constante — esse é o tipo de ganho que a tecnologia pode trazer.
Diferenciais técnicos
- Comutação magnética ultrarrápida (~1 ns);
- Retenção de dados superior a 10 anos;
- Compatibilidade com processos industriais existentes;
- Alta eficiência energética e ausência de ciclos de atualização;
- Estabilidade térmica aprimorada pela β-fase do tungstênio (até 700 °C).
O estudo destaca também a colaboração com a indústria para viabilizar produção em escala. Os próximos passos incluem a escalabilidade do projeto para integrações em escala de megabits e a redução adicional da energia por bit por meio do estudo de novos óxidos e de interfaces bidimensionais.
Se esses avanços se mantiverem na escala industrial, a tecnologia pode unir a velocidade da DRAM com a persistência da Flash — abrindo caminho para memórias mais rápidas, eficientes e duráveis.
